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提问人：网友jjb325 发布时间：2022-01-07
[单选题]

下面_______的噪声容限最大:

A.电阻型负载MOS倒相器

B.增强型-增强型MOS倒相器

C.增强型-耗尽型MOS倒相器

D.互补MOS倒相器

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第1题
关于用户端口速率设置下面说法正确的是（）。

A. ADSL用户端口实际开通的速率越低，用户性能余量（噪声容限）越大，用户性能越稳定

B. ADSL用户端口实际开通的速率越低，用户性能余量（噪声容限）越小，用户性能越稳定

C. ADSL用户端口实际开通的速率越高，用户性能余量（噪声容限）越小，用户性能越稳定

D. ADSL用户端口实际开通的速率越高，用户性能余量（噪声容限）越大，用户性能越稳定

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第2题
以下不能无限制地增大信道容量的方法是（ ）。 A. 无限制提高信噪比 B. 无限制减小噪声 C. 无限制提高信号功率 D. 无限制增加带宽

A、A

B、B

C、C

D、D

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第3题
差错控制是以香农的 为依据，通过信道编码技术来实现的。

A、香农定理

B、信源编码理论

C、奈氏准则

D、信道编码理论

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第4题
关于NMOSFET发生GIDL现象时,描述错误的是________

A、现象区处于强反型状态

B、可以按照p+n+结理解其能带图

C、p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内

D、电子流向漏极

E、空穴流向源极

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第5题
对于NMOS和PMOS管完全对称的CMOS反相器,当输出端从高电平翻转到低电平的过程中,论述正确的是________

A、负载管从线性区直接过渡到截止区

B、工作管从截止区直接过渡到线性区;

C、翻转时,两个管子都处于饱和区

D、翻转时,从电源到地端的回路总等效电阻最大

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第6题
已知Al2O3的相对介电常数为10,若使用它作为替代1.2纳米 SiO2的高K栅介质层材料,所需Al2O3的厚度为________

A、0.5 nm

B、3.1 nm

C、0.9 nm

D、1.7 nm

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第7题
某技术代NMOS器件的参数和工作条件如下：Lg = 60 nm，tox = 1.5 nm，NA = 2´1018 cm-3，mn = 250 cm2/V×s（低场），VDD = 1.4 V，栅极为n+多晶硅。计算VGS = VDD时表面反型电子面密度Qi/q（单位：cm-2）

A、1.6E10 cm-2

B、1.6E11 cm-2

C、1.6E12 cm-2

D、1.6E13 cm-2

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第8题
某技术代NMOS器件的参数和工作条件如下：Lg = 60 nm，tox = 1.5 nm，NA = 2´1018 cm-3，mn = 250 cm2/V×s（低场），VDD = 1.4 V，栅极为n+多晶硅。若将VGS = VDS = VDD时定义为器件的“ON”状态，试用平方律模型计算“ON”状态单位沟道宽度上漏源电流ION/W（单位：mA/mm）。

A、1 mA/mm

B、3 mA/mm

C、6 mA/mm

D、12 mA/mm

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第9题
发生频率最多、造成损失最大的一类火灾是（ ）

A、生活用火不慎

B、电气火灾

C、自然灾害

D、可燃物自燃

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第10题
燃烧的充分必要条件是：（ ）

A、一定浓度的可燃物

B、一定含量比例的氧气

C、一定能量的点火源

D、未受抑制的链式反应

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