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A.热胀热缩
B. 热胀冷缩
C. 冷胀冷缩
D. 冷胀热缩
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更多“随着温度的升高，在晶格节点上的原子振动范围也就增大，这就是金属（）的原因。”相关的问题
A.先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
B.先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
C.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）；
D.先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
A.先增大(考虑杂质电离和电离杂质散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
B.先增大(考虑杂质电离和晶格振动散射)，后减小(考虑晶格振动散射)，再增大(考虑本征激发)
C.先减小(考虑晶格振动散射)，后增大(考虑本征激发)，再减小(考虑晶格振动散射)
D.先增大(晶格振动散射)，后减小(考虑杂质电离和电离杂质散射)，再增大(考虑本征激发)
A.取代式缺陷
B.弗伦克尔缺陷
C.肖特基缺陷
D.杂质缺陷
A.电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。
B.在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。
C.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。
D.声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低。
E.声学波散射的散射几率随温度升高而增大；光学波散射的散射几率随温度升高而降低。
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