关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B. 其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C. 集力敏与力电转换检测于一体
D. 根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
- · 有4位网友选择 D,占比50%
- · 有3位网友选择 A,占比37.5%
- · 有1位网友选择 B,占比12.5%
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B. 其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C. 集力敏与力电转换检测于一体
D. 根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
A.扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B.其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥
C.集力敏与力电转换检测于一体
D.根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小
A.力平衡压力变送器
B.霍尔式压力变送器
C.扩散硅压力式压力变送器
D.电容式压力变送器
A.扩散硅压阻式压力变送器
B.YST-1型差分压力变送器
C.电容式压差传感器
D.压磁传感器
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!