关于绝缘栅双极晶体管,以下说法正确的是
A.驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B.主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C.通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D.高耐压的同时也具有很小的通态压降
E.可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F.关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
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