以下说法错误的是:
A.磁化强度矢量M的环量与磁化电流密度的分布有关。
B.无论磁化强度矢量M分布如何,磁化电流总是分布在磁介质的表面。
C.磁化强度矢量M在介质表面的切向分量就是面磁化电流密度。
D.磁化强度矢量M在介质表面的法向分量就是面磁化电流密度。
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A.磁化强度矢量M的环量与磁化电流密度的分布有关。
B.无论磁化强度矢量M分布如何,磁化电流总是分布在磁介质的表面。
C.磁化强度矢量M在介质表面的切向分量就是面磁化电流密度。
D.磁化强度矢量M在介质表面的法向分量就是面磁化电流密度。
A、若趋向于无穷,则产生的磁场趋于。
B、若趋向于无穷,则产生的磁场趋于。
C、若趋向于0,则产生的磁场趋于。
D、若趋向于0,则产生的磁场趋于0。
A、抗磁质分子的固有磁矩不为零。
B、抗磁质分子的固有磁矩为零。
C、抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场下的变化。
D、无论外磁场方向沿着还是逆着电子轨道角动量方向,其效果都是减弱电子磁矩。
A、对于静电场,电介质界面上没有自由电荷时,D法向连续,E切向连续。
B、对于静电场,电介质界面上没有自由电荷时,D切向连续,E法向连续。
C、对于静磁场,磁介质界面上没有传导电流时,B法向连续,H切向连续。
D、对于静磁场,磁介质界面上没有传导电流时,B切向连续,H法向连续。
A、方向平行于电荷q的速度,大小取决于电荷Q的速度。
B、方向垂直于电荷q的速度,大小取决于电荷Q的速度和电荷q的速度。
C、方向平行于电荷Q的速度,大小取决于电荷q的速度。
D、方向垂直于电荷Q的速度,大小取决于电荷Q的速度。
A、电子荷质比与氢离子荷质比同量级。
B、电子荷质比约是氢离子荷质比的500倍。
C、电子荷质比随速度变化是因为电子质量随速度变化。
D、电子荷质比随速度变化是因为电子电荷随速度变化。
A、离子在回旋加速器中获得的最终速率受D型盒的半径R限制。
B、离子在回旋加速器中获得的最终速率受外加磁感应强度B限制。
C、由于受相对论效应限制,回旋加速器适合加速较重的离子。
D、离子在回旋加速器中获得的最终速率不受相对论效应的影响。
A、若电子沿顺时针方向旋转,则电子的角频率不变。
B、若电子沿顺时针方向旋转,则电子的角频率减小。
C、若电子沿顺时针方向旋转,则电子的角频率增大。
D、若电子沿逆时针方向旋转,则电子的角频率增大。
A、负电子径迹为d、e,正电子径迹为a、b、c;a、b、c中c能量最大,a、b、c中a能量最小。
B、负电子径迹为a、b、c,正电子径迹为d、e;a、b、c中c能量最大,a、b、c中a能量最小。
C、负电子径迹为a、b、c,正电子径迹为d、e;a、b、c中a能量最大,a、b、c中c能量最小。
D、负电子径迹为d、e,正电子径迹为a、b、c;a、b、c中a能量最大,a、b、c中c能量最小。
A、P型和N型可以,本征不可以。
B、N型和本征可以,P型不可以。
C、P型可以,N型和本征不可以。
D、N型可以,P型和本征不可以。
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