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提问人：网友Dume2020 发布时间：2022-01-07

[多选题]

GaAs测量磁场时利用霍尔效应，即霍尔电压与磁场成正比，其前提是？（)

A.工作电流I不变

B.温度相对稳定

C.磁场垂直于霍尔芯片

D.以上都不正确

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ABCD

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更多“GaAs测量磁场时利用霍尔效应，即霍尔电压与磁场成正比，其前提是?()”相关的问题

第1题

下面关于霍尔维茨多项式的叙述正确的是( )

A、严格霍氏多项式是指根全面位于闭左平面内

B、严格霍氏多项式从s的最高次幂到最低次幂的系数全为正，且不能缺项

C、广义霍氏多项式从s的最高次幂到最低次幂的系数可以不全为正

D、广义霍氏多项式是指根全面位于左半开平面

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第2题

使霍尔传感器处于非均匀磁场中，其输出正比于磁感应强度，因此，对凡是能转换为（）变化的量都能进行测量，如位移、角度、转速和加速度等。

A、磁感应强度

B、控制电流

C、磁感应强度和控制电流之积

D、其他

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第3题

下列关于霍尔元件温度补偿的说法正确的是()。

A.温度对霍尔元件的影响不大

B.采用恒流源供电能减小霍尔元件所有参数的温度系数所带来的温度误差

C.霍尔元件的输出电阻不需要温度补偿

D.霍尔元件灵敏系数KH温度补偿的方法有热敏电阻补偿法和双霍尔元件补偿法

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第4题

霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括()。

A.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触

B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

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第5题

霍尔电势的不等位电势产生的主要原因不包括()。

A.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

B.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

C.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

D.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触

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第6题

什么是霍尔效应？霍尔元件的特点是什么？

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第7题

霍尔效应中,霍尔电势与()。

A.激励电流成反比

B.磁感应强度成反比

C.激励电流成正比

D.霍尔片厚度成正比

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第8题

霍尔效应中,霍尔电势与()。

A.激励电流成正比

B.激励电流成反比

C.霍尔片厚度成正比

D.磁感应强度成反比

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第9题

霍尔效应中，霍尔电势与（）。

A、霍尔常数成正比

B、霍尔常数成反比

C、霍尔元件的厚度成正比

D、霍尔元件的厚度无关

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第10题

空霍尔片不等位电势是产生的原因是（）。

A. 由于高频交流的作用

B. 霍尔传感器没有放在中间位置

C. 霍尔电极不能焊接在同一等位面上

D. 导线焊接不牢固

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