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(请给出正确答案)
提问人:网友gabil8847
发布时间:2022-01-07
[单选题]
下面关于ESD防护说法不正确的是:()
A.让静电通过一个低阻抗并联通道进行放电,同时将ESD电压钳制在一个足够低的电平,避免硅/金属互连线烧毁或者栅氧化层击穿
B.ESD引起芯片失效是由于瞬态高电流所产生的局部高热量引起硅半导体材料或者金属互连线烧毁和ESD放电过程产生的高电压使得芯片上的栅氧化层击穿。
C.输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构,还可利用PN结的击穿特性
D.反向偏置的二极管可以作为ESD防护器件,正向偏置的二极管不行
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