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提问人：网友90000002
发布时间：2023-05-11
[单选题]
能够在一套工艺中实现两种不同的栅氧化层厚度，从而达成不同的器件需求的工艺（）
A.G process
B.STI
C.SAB
D.Spacer
参考答案
A.元器件的组成部分（如栅氧化层）
B.源漏极
C.互连层间绝缘介质
D.作为掩蔽膜
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第3题
下列对器件尺寸参数描述正确的有
A.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
B.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
第8题
音层厚与薄的比较的音乐经验获得的机制（)。
A.在歌唱与打击乐制作活动中分不同的声音
B.在打击乐演奏活动中意识到乐器种类的加入与退出
C.用语言表达音层厚与薄的表现性
D.歌唱自己的声部时能够听到其他声部的声音
第10题
下列关于阈值电压的说法，不正确的有（）
A.对于NFET，界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B.若VGS＞VTH ，则MOS管导通
C.若VTH=0，则对于最低电压为GND的NMOS器件来说一般不关断
D.在器件制造过程中，通过向沟道区注入杂质可以调整阈值电压VTH0 ，即改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度
E.工艺确定后，VTH0确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压
F.PMOS器件的VGS要足够“负”，才能使其导通。
