题目内容
（请给出正确答案）
A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，
增大
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，
增大，发射效率提高
C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D、考虑发射效率公式，放大系数减小
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
抱歉！暂无答案，正在努力更新中……
更多“以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（）。”相关的问题
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D、考虑发射效率公式，放大系数减小
B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C、基区中空穴的扩散长度很小
D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
B、基区有效宽度减小
C、基区少子浓度梯度增大
D、输出特性曲线左移
B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
