当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（)。

此题为判断题(对，错)。

B.变宽

C.变小

D.不变

A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄

B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄

C、N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

D、P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

B、基本不变

C、变宽

D、无法确定

A、更低

B、更高

C、不变

D、不确定

此题为判断题(对，错)。

A、储存时间

B、下降时间

C、关断时间

D、反向恢复时间

B．结构中最后一个成员所需的内存量

C．结构体中占内存量最大者所需的容量

D．结构体中各成员所需内存量的总和

A、差

B、和

C、平均值