下列器件中为全控型器件的是（）。 A．双向晶闸管 B．快速晶闸管 C．光控晶闸管 D．功率场效应晶体管

A、SCR

B、MOSFET

C、IGBT

D、GTR

B．Power MOSFET

C．晶闸管

D．电力二极管

B.单向晶闸管

C.双向晶闸管

D.IGBT

A、全控型器件

B、场效应器件

C、半控型器件

D、不控型器件

A. GTR

B. B.IGBT

C. C.MOSFET

D. D.达林顿管

B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D．IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。

B.半控型器件

C.不控型器件

D.电压型器件

B.PWM脉冲宽度调制

C.自适应控制

D.相位控制