题目内容
（请给出正确答案）
A、PN结是P型，N型半导体混合制成的
B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的
C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
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A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成
B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来
C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通
D.PN结加反向电压时，反向电流值很大，PN结截止
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时，PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿
B.隧道击穿也称齐纳击穿
C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中
D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负
A.势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效
B.势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效
C.势垒电容可用平板电容等效,而扩散电容则不能
D.扩散电容可用平板电容等效,而势垒电容则不能。
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