MOS输出特性分析

A.为N沟道增强型MOS管，

B.为N沟道增强型MOS管，

C.为N沟道耗尽型MOS管，

D.为N沟道耗尽型MOS管，

A.为N沟道耗尽型MOS管，，

B.为N沟道耗尽型MOS管，，

C.为P沟道耗尽型MOS管，，

D.为P沟道耗尽型MOS管，，

A.N沟道结型FET管

B.P沟道结型FET管

C.N沟道耗尽型MOS管

D.P沟道耗尽型MOS管

A.MOS方波

B. UPS电源

C. ROM网格

D. DC谐波

A.complementary MOS

B.current MOS

C.capacitive MOS

D.conductive MOS

A.E-R MOS(电阻型负载)

B.E-E MOS

C.E-D MOS

D.无法确定

A.MOS电容是固定电容

B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D.随着栅电压增加，MOS电容会减小

A.它是一个N沟道MOS管，|VGS|＞VT时，VG＞VS，MOS管导通；

B.它是一个P沟道MOS管，|VGS|＞VT时，MOS管导通

C.它是一个N沟道MOS管，VGS＞VT时，MOS管导通；

D.它是一个P沟道MOS管，VGS＞VT时，MOS管导通；