晶闸管的结构是()。
A.三层四端
B. 三层二端
C. 四层三端
D. 四层四端
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A.三层四端
B. 三层二端
C. 四层三端
D. 四层四端
A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
C.晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D.晶闸管具有PN或NP两层半导体结构。
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
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