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提问人:网友xjt1234 发布时间:2022-01-07
[主观题]

One MOSFET is fabricated with an n-type silicon substrate. Is it called () ?

A、an n-MOSFET

B、a p-MOSFET

C、enhancement mode

D、none of the above

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更多“One MOSFET is fabricated with an n-type silicon substrate. Is it called () ?”相关的问题
第1题
Mi madre me llamó por teléfono justo en el momento en que estaba __________ con mi jefe.

A、hablar

B、hablado

C、hablando

D、hablaba

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第2题
For invoices without a purchase order reference in Logistics Invoice Verification the header data is filled with the document date and the invoice amount.Which additional fields must you fill in the header data? There are 3 correct answers to this question.()

A.Payment terms in the tab Payment

B.Baseline payment date in the tab Payment

C.Tax code in the tab Tax

D.Currency in the tab Basic data

E.Invoicing party in the tab Details

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第3题
结果部分写作的一般准则是:

A、Do not give detailed methods which belong to the methods section.

B、Do not list data which belongs to the discussion section.

C、Do not repeat the details which is already listed in a table.

D、Do not try to describe all the raw data , but select and highlight the main data.

E、Do not offer the description of the data without an opening sentence which summarizes the findings derived from the data.

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第4题
For a metal/oxide/p-type silcion MOS capacitor, when the MOS capacitor is under weak inversion, the electron concentraion at the silicon surface is higher than the hole concentration in the bulk silcion.
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第5题
A standard MOSFET is fabricated with fms=-0.89V, Qi=5e10 (q/cm2), d=500Å, A (gate area)=1e-3 cm2, and NA=1e15 cm-3. Assume T=300K. Determine the flat band voltage, VFB (a) -2.05V; (b) -1.01V; (c) -0.89V; (d) 0V

A、-2.05V

B、-1.01V

C、-0.89V

D、0V

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第6题
Fowler-Nordheim tunneling is based on the __ effect.
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第7题
A standard MOSFET is fabricated with fms=-0.89V, Qi=5e10 q/cm2, d=500Å, A (gate area)=1e-3 cm2, and NA=1e15 cm-3 Assume T=300K, the flat band voltage VFB and the threshold voltage VT are -1.01V and -0.21V, respectively. At VG-VT=3V and VD=1V the MOSFET exhibits a drain current of ID=2.5e-4 amp. Please determine the drain current if VG-VT=3V and VD=4V.

A、3.5e-4 amp

B、4.0e-4 amp

C、4.5e-4 amp

D、1.0e-3 amp

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第8题
The charges trapped in the dielectric would lead to ___ scattering.
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