题目内容
（请给出正确答案）
A.APCVD
B.磁控溅射
C.LPCVD
D.VPE
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网友提供的答案
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A、这是切片误差；
B、这是为外延生长提供更多的结点位置；
C、这是为了得到原子层量级的台阶；
D、这是切片工艺本身要求的。
A、应再扩散71min
B、表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；
C、应再扩散31 min
D、杂质表面浓度=Ns
E、杂质表面浓度 <ns>
A、P扩散速度不变；
B、P扩散速度加快；
C、扩散速度减慢；
D、扩入Si的P总量下降；
E、在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）；
F、在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）。
A、峰值浓度为9.5×10∧17离子/cm；
B、在0.2μm处杂质浓度是3.7×10∧17离子/cm∧2；
C、峰值浓度为9.5×10∧13离子/cm∧2；
D、在0.2μm处杂质浓度是3.7×10∧13离子/cm∧2。
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