工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为

D、沟道夹断区为耗尽区

B、漏端，源端

C、源端，漏端

D、源端，源端

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

B、VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C、VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D、VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大

A、JFET

B、EMOS

C、DMOS

D、NMOS

B、漏源电压

C、栅漏电压

D、栅源电压

B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压