题目内容
（请给出正确答案）
A.由于导体的载流子浓度较高、电导率大，所以霍尔器件一般由导体材料制成。
B.霍尔器件一般由P型半导体材料制成。
C.由于不良导体电阻率高，所以霍尔器件一般由绝缘材料制成。
D.霍尔器件一般由N型半导体材料制成。
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B.采用恒流源供电能减小霍尔元件所有参数的温度系数所带来的温度误差
C.霍尔元件的输出电阻不需要温度补偿
D.霍尔元件灵敏系数KH温度补偿的方法有热敏电阻补偿法和双霍尔元件补偿法
A、磁感应强度
B、控制电流
C、磁感应强度和控制电流之积
D、其他
A、严格霍氏多项式是指根全面位于闭左平面内
B、严格霍氏多项式从s的最高次幂到最低次幂的系数全为正，且不能缺项
C、广义霍氏多项式从s的最高次幂到最低次幂的系数可以不全为正
D、广义霍氏多项式是指根全面位于左半开平面
B.霍尔传感器具有结构简单、体积小、重量轻、频带宽、动态特性好和寿命长等许多优点
C.自动检测系统中，多用于位移、压力的测量，但不可用于微位移的测量
D.磁感应强度B方向与霍尔片法线方向成a角时，UH=KHBIcosa
A. 输出的电压信号不随转速的变化而变化。可以适应低转速情况
B. 传感器频率响应高达20kHz，可以适应高转速情况
C. 抗电磁波干扰能力强
D. 通过A/D转换器向ECU输送转速信息
A. 切克兰德方法更强调定性与定量有机结合
B. 霍尔三维结构更多的关注定量分析方法
C. 切克兰德方法的核心内容是优化分析
D. 霍尔方法论主要以工程系统为研究对象
A、①②④
B、①②⑤
C、⑤
D、⑥
A、比较测量法，电流和磁场
B、转换测量法，电流和磁场
C、对称测量法，电流和磁场
D、替代测量法，电流和磁场
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