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提问人:网友oldzhang 发布时间:2022-01-06
[多选题]

以下方法可用来制备晶体硅薄膜的有()。

A.热辅助化学气相沉积(TA-CVD)

B.液相外延(LPE)

C.近空间气相输运(CSVT)

D.和离子辅助沉积(IAD)

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匿名网友[127.***.***.80]选择了 C
1天前
匿名网友[20.***.***.1]选择了 A
1天前
匿名网友[81.***.***.35]选择了 C
1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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更多“以下方法可用来制备晶体硅薄膜的有()。”相关的问题
第1题
以下关于微晶硅与非晶硅两种薄膜材料的主要区别,叙述正确的是( )。

A、微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性,用微晶硅薄膜制备的太阳能电池几乎没有光致衰减效应。

B、由于微晶硅的晶体特性,其在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低,所以微晶硅薄膜太阳能电池需要比较厚的吸收层(至少1μm),而非晶硅薄膜太阳能电池的典型厚度为0.3μm。

C、微晶硅带隙接近单晶硅,室温下1.1eV,而非晶硅的带隙高得多,接近1.75eV。

D、以上都对。

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第2题
高压耗尽射频等离子体增强化学气相沉积(HPD+RF-PECVD)法的优点有()。

A、防止高能粒子对薄膜表面的破坏;

B、可使硅烷耗尽,抑制硅烷对原子氢的消耗,故能够提供足够高密度的原子态氢,从而大大降低薄膜缺陷态密度。

C、需要高的激发功率

D、所制备的薄膜中出现许多微空洞

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第3题
晶体硅为金刚石结构,即每一个硅原子位于正四面体的顶点,并与另外四个硅原子以离子键紧密结合。
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第4题
非晶硅薄膜吸收图谱中,A 区是由电子吸收能量大于光学带隙的光子后从价带内部向导带内部跃迁而产生的吸收。在此区域,a-Si:H的吸收系数较大,通常在104cm-1 以上,随光子能量的变化具有幂指数特征。
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第5题
理想本征晶体硅薄膜的能带结构中,导带和价带被带隙严格地隔开,而且在带隙内不允许出现能带。
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第6题
晶体硅太阳能电池的成本主要包括电池组件费用、组件的支持与架设费用、发电土地与场地费用、生产设备费用、以及硅材料费用等。在上述所有费用中,( )费用是最大的支出,
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第7题
热辅助化学气相沉积(TA-CVD)技术中常用的反应腔类型主要包括分批式系统和( )系统。
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第8题
当前国内非晶硅薄膜太阳能电池的最新发展状况如何?请查阅相关资料进行简要阐述, 并列举2-3个非晶硅薄膜太阳能电池的最新应用实例。
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第9题
以玻璃为衬底的非晶硅薄膜太阳能电池组件制备工艺中四次用到激光切割,请简要说明每次激光切割的目的是什么?
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第10题
以下可用来制备砷化镓薄膜的技术有( )。

A、液相外延技术

B、金属有机化学气相沉积技术

C、分子束外延技术

D、以上都是

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