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提问人：网友bbz663389
发布时间：2022-01-07
[主观题]
在TTL反相器电路中，T1管的________结构实现逻辑与运算；三极管T2和T2¢的输出端并联实现____运算。
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第2题
下列说法中正确的是（）
A.三态门的输出端可以直接并联，并实现“线与”逻辑功能。
B.TTL门的输出端可以直接并联，并实现“线与”逻辑功能。
C.OC门的输出端可以直接并联，并实现“线与”逻辑功能。
D.传输门的输出端可以直接并联，并实现“线与”逻辑功能。
第3题
下列各类门电路中，可以将输出端直接并联实现“线与”逻辑的门电路是（23)。A．三态输出的门电路B．集电
下列各类门电路中，可以将输出端直接并联实现“线与”逻辑的门电路是(23)。
A．三态输出的门电路
B．集电极开路输出的TTL门电路
C．互补输出结构的CMOS门电路
D．推拉式输出结构的TTL门电路
第5题
[图]下图所示SRAM存储元中，下列说法正确的是（）A、用A点...
下图所示SRAM存储元中，下列说法正确的是（）
A、用A点的电平高低表示存储的二进制信息1和0
B、三极管T1和T2呈现互锁关系，B点连接T1的栅极，当B点为低电平（0）时，T1管截止，A点高电平（1）
C、T3和T1管构成一个反相器（非门），其输入为T1的栅极，输出为A点；T4和T2管也构成一个反相器（非门），其输入为T2栅极，输出为B点，因此，该SRAM存储元采用2个非门互锁构成一个触发器电路，其中A点看成是Q端，B点是/Q端
D、上述图所示的存储元存储了2位二进制信息
第6题
填空：如图所示电路，当A为高电平时，T1管的状态（），T2管的状态（），输出端为（）电平。 
填空：如图所示电路，当A为高电平时，T1管的状态（），T2管的状态（），输出端为（）电平。
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