题目内容
（请给出正确答案）
A.pn结势垒区中，电子和空穴总浓度相等
B.势垒区中点处，电子和空穴浓度相等
C.势垒区中点处，载流子浓度积最小
D.pn结分界处，载流子浓度和最小
E.n区与p区的电场方向相同
F.n区与p区的宽度相同
参考答案
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A.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 n 区空穴向 p 区运动没有明显的影响。
B.△Ec 对n区电子向 p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对 p 区空穴向 n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p区电子向 n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动起势垒作用。
D.△Ec 对 p 区电子向 n 区的运动起势垒作用，△Ev 对 n 区空穴向 p 区运动也起势垒作用。
A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响
B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响
C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用
D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用
A.势垒区主要向N区一侧扩展
B.势垒区宽度相对于平衡PN结变小
C.P区一侧的势垒区中的电荷量更大
D.N区一侧势垒区宽度比P区一侧势垒区宽度小
A.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的电子空穴对被势垒区的内建场分开来改变接触势垒的高度（结电压）。
B.光辐射照射激发到量子阱子能带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
C.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的多子越过势垒进入耗尽层来改变接触势垒的高度（结电压）。
D.光辐射照射激发到导带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
A.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的多子越过势垒进入耗尽层来改变接触势垒的高度（结电压）。
B.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的电子空穴对被势垒区的内建场分开来改变接触势垒的高度（结电压）。
C.光辐射照射激发到量子阱子能带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
D.光辐射照射激发到导带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
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和电子扩散电流
外，还有（）。
