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提问人:网友sky6688 发布时间:2022-01-07
[单选题]

设在金属与n型半导体之间加一电压,且设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;;外加电压为设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;, 施主浓度设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;,则耗尽层厚度约为()。

A.设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;

B.设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;

C.设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;

D.设在金属与n型半导体之间加一电压,且接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势;

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第1题
()PN结具有单向导电性。即在P极接高电位,N极接低电位,且两端电压大于PN结门槛电压时,二极管才能导通。

( )PN结具有单向导电性。即在P极接高电位,N极接低电位,且两端电压大于PN结门槛电压时,二极管才能导通。

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第2题
金属与P型半导体之间一般会形成整流接解
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第3题
一金属板与n型硅相距0.4μm,构成平行板电容器,其间的干燥空气的相对介电常数εra=1,当金属端加负电压时,半导

一金属板与n型硅相距0.4μm,构成平行板电容器,其间的干燥空气的相对介电常数εra=1,当金属端加负电压时,半导体处于耗尽状态。

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第4题
由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时,已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度,则可能的原因有()。

A.n型半导体,且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

B.n型半导体,且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

C.p型半导体,且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

D.p型半导体,且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

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第5题
万用表测量交流电压时,其红表笔接高电位,黑表笔接低电位,表笔不能反接。万用表测量交流电压时,其红表笔接高电位,黑表笔接低电位,表笔不能反接。 ()
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第6题
使用电解电容时()A、负极接高电位,正极接高电位B正极接高电位,负极接低电位C负极接高电位,负极

使用电解电容时()

A、负极接高电位,正极接高电位

B正极接高电位,负极接低电位

C负极接高电位,负极也可以接高电位。

D不分正负极

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第7题
使用电解电容时()。

A.负极接高电位,正极接低电位

B.正极接高电位,负极接低电位

C.负极接高电位,负极也可以接高电位

D.不分正负极

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第8题
PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为().

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第9题
万用表测量直流电压时,将表的正极接电路的低电位点,星端接电路的高电位点。()

万用表测量直流电压时,将表的正极接电路的低电位点,星端接电路的高电位点。()

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第10题
在本征半导体中掺入少量三价硼元素,构成的是 型掺杂半导体,其中多数的载流子是 型 ;若在本征半导
体中掺入少量的五价磷元素,构成的是 型半导体,其中多数载流子是 。 2. N 型半导体也称为 半导体,其多数载流子是 ,主要靠 导电;P型半导体也称为 半导体,其多数载流子是 ,主要靠 导电 。 3. PN 结晶体管半导体具有 导电性, 其中 极接正,而 极接负的电压称为正向电压,此时PN结导通, 其中N极接正,而P极接负的电压称为反向电压,此时PN结 。 4. 发光二极管可以直接将电能转换为 能。当发光二极管加 电压时发光

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