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提问人：网友chqxinye 发布时间：2022-01-07
[单选题]

MOS管处于线性工作区时，满足条件VDS___VGS-VTH，从源端到漏端沟道厚度越来越___。（）

A.＞，大

B.＞，小

C.＜，大＞

D.＜，小＞

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第1题
MOS管处于线性工作区时,满足条件___,从源端到漏端沟道厚度越来越___。
A、>，大

B、>，小

C、<，大

D、<，小

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第2题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。
A、VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B、VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C、VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D、VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第3题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。
A、此时满足条件

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为

D、沟道夹断区为耗尽区

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第4题
判断题：由于MOS管栅极、漏极与衬底间电容，栅极与漏极之间的电容存在，电路在状态转换之间有电容充、放电过程，导致输出波形上升沿、下降沿变得缓慢。
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第5题
MOS共源放大电路如图所示。其中MOS管的UGS(th)=3V，IDO=180mA，Cgs=Cds=Cgd=20pF，VDD=9V，RG1=RG2=4.5kΩ，RG3=100kΩ,RS=200Ω，RD=800Ω，C1=C2=CE=100uF，RL=1kΩ 1、估算IDQ，UDSQ 2、估算Aup、Ri和Ro 3、估算fL、fH
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第6题
在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于 状态， 导电沟道。（）

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第7题
版图上判断MOS管的图形特征是什么？
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第8题
MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
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第9题
如果MOS管进入饱和工作区后,继续增加VDS,则沟道夹断点向___移动,在___将出现耗尽区。
A、漏端，漏端

B、漏端，源端

C、源端，漏端

D、源端，源端

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第10题
判断题：P沟道增强型MOS管，结构与NMOS管相反，vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反，开启电压vT为负值。
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