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提问人：网友文旻昊
发布时间：2022-01-07
[判断题]
CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅)表面上，并淀积成薄膜。（)
参考答案
A.CVD
B.氧化
C.蒸发
D.溅射
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第2题
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第5题
水污染，是指水体因某种物质的介入，而导致其()、或者放射性等方面特性的改变，从而影响水的有效利用，危害人体健康或者破坏生态环境，造成水质恶化的现象。
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B.物理
C.生物
D.流速
第6题
“水污染”是指水体因某种物质的介入，而导致其()等方面特性的改变，从而影响水的有效利用，危害人体健康或者破坏生态环境，造成水质恶化的现象。
A.化学
B. 物理
C. 生物
D. 放射性
第9题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms－1，表面反应速率系数ks=1×107exp（
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁，石墨支座型;(2)热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第10题
水污染，是指水体因某种物质的介入，而导致水体()等方面特性的改变，从而影响水的有效利用，危害人体健康或者破坏生态环境，造成水质恶化的现象。
A.化学
B.物理
C.环境
D.生物
E.放射性
