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提问人：网友154336271 发布时间：2022-10-19

[判断题]

（）COMS反相器是由NM0S管和PM0S管组成的平行电路

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第1题

若COMS反相器电压转移特性如图所示，对于采用该反相器构建的缓冲器，当缓冲器输入电压波动范围为3--5 V时，缓冲器输出电压的波动范围是

A.4.9—5 V

B.4.5—5 V

C.0--0.1 V

D.0—0.5 V

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第2题

假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。

A.

B.

C.

D.

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第3题

CMOS反相器电路是由（）各一个器件组成的。

A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B.增强型NMOS工作管和耗尽型PMOS工作管

C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D.耗尽型PMOS管和增强型NMOS管

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第4题

（选做题）下图是利用ttl电路驱动coms电路的实例，试计算上拉电阻rl的取值范围。ttl与非门在

（选做题）下图是利用TTL电路驱动COMS电路的实例，试计算上拉电阻RL的取值范围。TTL与非门在时的最大输出电流为8mA，输出端的T5管截止时有50uA的漏电流。CMOS或非门的高电平输入电流最大值和最低电平输入电流最大值均为1uA。要求加到CMOS或非门输入端的电压满足。给定电源电压VDD=5V。

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第5题

反相器版图中，NMOS管和PMOS管的栅极多晶层通常连接在一起，对应反相器电路的什么端口？

A.输入

B.输出

C.电源

D.地

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第6题

题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是。

A.MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP

B.下级电路的输入电容Cin

C.MOS管的结电容

D.互连线引起的寄生电容Cl

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第7题

探伤仪中的同步电路是由计算机构成，采用COMS集成电路来完成。（)

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第8题

根据定义，VIH和VIL是dVout/dVin=1时反相器的工作点，也就是由反相器构成的放大器的增益g等于1时的点。

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第9题

()是由无稳态多谐振荡器构成，现多采用COMS集成电路来完成。

A.同步电路

B.电源电路

C.控制电路

D.报警电路

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第10题

在TTL反相器电路中，T1管的________结构实现逻辑与运算；三极管T2和T2¢的输出端并联实现____运算。

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