p沟道MOSFET，其衬底为（）型，当栅极施加适当负压后，可形成（）导电沟道。

A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。

A.N沟道增强型MOSFET

B.N沟道耗尽型MOSFET

C.P沟道增强型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

A.N沟道JFET,N沟道增强型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET;

B.N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET;

C.N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET;

D.P沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET。

A.(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

B.(a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET, c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

C.(a)N沟道耗尽型MOSFET,(b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET;

D.(a)N沟道JFET, (b) N沟道增强型MOSFET, (c)P沟道JFET, (d)P沟道增强型MOSFET;

A.衬底材料前者为硅，后者为锗；

B.衬底材料前者为N型，后者为P型；

C.导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴。

D.衬底材料前者为N型，后者也为N型

A.N沟道耗尽型MOSFET;

B.N沟道增强型MOSFET;

C.P沟道耗尽型MOSFET;

D.P沟道增强型MOSFET。

A.耗尽型

B.增强型

C.P沟道

D.N沟道

A.P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B.P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道

C.N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D.N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型