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提问人:网友lixin080108
发布时间:2022-01-07
[判断题]
增强型MOSFET导电沟道的形成是由衬底中的多子产生的()
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N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体,源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的______形成的,增强型管子的含义是______。
A.当栅极电压为零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B.当栅极电压小于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C.当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D.当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
A.P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
B.P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道
C.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
D.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型
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