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提问人:网友gongbeihua 发布时间:2022-01-07
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增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。

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第1题
自偏压仅适合于结型和耗尽型MOS场效应管放大器电路
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第2题
增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。
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第3题
vGS=0V时能够工作在恒流区的场效应管有 。

A、结型场效应管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

D、无效选项

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第4题
要使耗尽型MOS管工作在恒流区,栅源偏压VGS可以为正、负或零。
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第5题
MOS场效应管的英语缩写是()。

A. “IGBT”

B. “BJT”

C. “GTO”

D. “MOSFET”

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第6题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。

A、为P沟道增强型MOS管,Up=1V

B、为N沟道耗尽型MOS管,UT=1V

C、为N沟道增强型MOS管,UT=1V

D、为P沟道结型场效应管,Up=1V

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第7题
MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。
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第8题
N沟道增强型场效应管中栅极添加了二氧化硅绝缘层。
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第9题
场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。
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