N沟道增强型场效应管中栅极添加了二氧化硅绝缘层。

A.P沟道增强型MOS场效应管

B.N沟道结型场效应管

C.N沟道耗尽型MOS场效应管

D.N沟道增强型MOS场效应管

A.P沟道耗尽型场效应管；栅极G电压为0V，漏极与源极之间也可能会有电流。

B.N沟道增强型场效应管；栅极G电压大于开启电压后，漏极与源极之间才会有电流。

C.结型场效应管，栅极G电压为0V，漏极与源极之间也可能会有电流。

D.P沟道耗尽型场效应管；栅极G电压大于开启电压后，漏极与源极之间才会有电流。

A.N沟道增强型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.P沟道耗尽型

A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。

A.N沟道增强型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.P沟道耗尽型

A.P沟道增强型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.N沟道耗尽型

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

A、A. N沟道 耗尽型

B、B. P沟道 增强型

C、C.P沟道 耗尽型

D、D. N沟道 增强型