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提问人:网友曾深鑫 发布时间:2022-01-07
[单选题]

下列关于PN结的说法中,错误的是()。

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似

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匿名网友[77.***.***.248]选择了 D
1天前
匿名网友[250.***.***.223]选择了 B
1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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更多“下列关于PN结的说法中,错误的是()。”相关的问题
第1题
下列说法中,哪一项不是对PN结空间电荷区充电()。

A.PN结外加正向偏压增大

B.PN结外加反向偏压减小

C.使空间电荷区势垒宽度减小

D.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

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第2题
下列说法中,哪一项不是对PN结空间电荷区充电()。

A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

B.PN结外加正向偏压增大

C.PN结外加反向偏压减小

D.使空间电荷区势垒宽度减小

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第3题
关于PN结,()是错误的叫法。

A.耗尽层

B.空间电荷区

C.阻挡层

D.扩散层

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第4题
关于PN结,说法不正确的是

A.平衡PN结中,N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂质离子构成的

B.正向电压作用下,PN结电容以扩散电容为主

C.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区

D.PN结始终具有整流特性

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第5题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第6题
下列选项中,不属于对PN结空间电荷区放电的是()。

A.在PN结上的正向电压减小

B.在PN结上的反向电压增加

C.使空间电荷区势垒宽度增加

D.使载流子从半导体流入空间电荷区

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第7题
关于平衡PN结的说法,以下正确的是

A.平衡PN结中不存在扩散和漂移电流

B.平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的

C.平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区

D.平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区,N区中的多子浓度基本一致

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第8题
【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄,反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
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第9题
下列关于PN结的说法中,错误的是()。

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似

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第10题
PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。()

PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。()

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