下列关于PN结的说法中,错误的是()。
A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似
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A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似
A.平衡PN结中,N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂质离子构成的
B.正向电压作用下,PN结电容以扩散电容为主
C.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
D.PN结始终具有整流特性
A.平衡PN结中不存在扩散和漂移电流
B.平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的
C.平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区
D.平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区,N区中的多子浓度基本一致
A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上
B.对于单边突变结,空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展
C.平衡时,势垒区两侧正负电荷的总数相等
D.平衡时,一般假设势垒区自由电子密度为零,采用耗尽层近似
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