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提问人：网友曾深鑫发布时间：2022-01-07

[判断题]

单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。（)

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第1题

A. 有关

B. 无关

C. 视情况而定

D. 只与使用有关

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第2题

A. 大于

B. 等于

C. 小于

D. 不确定

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第3题

为减小BJT集电结势垒区渡越时间,可通过增加集电区掺杂浓度,降低集电极电阻率,减小击穿电压。()

此题为判断题(对，错)。

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第4题

什么是地震反应?什么是地震作用?地震作用和一般静荷载有何不同?计算结构地震作用的方法有哪几类?抗震规范对此有何规定?

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第5题

闪锌矿型结构和纤锌矿型结构都是正四面体结构,其中闪锌矿型结构具有六方对称性,纤锌矿型结构具有立方对称性。()

此题为判断题(对，错)。

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第6题

反向截止时,少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。()

此题为判断题(对，错)。

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第7题

pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。()

此题为判断题(对，错)。

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第9题

PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。()

此题为判断题(对，错)。

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