以下关于NPN晶体管反向特性描述错误的是()。
A.Icbo<Iceo
B.BVceo<BVcer<BVces
C.浮动电压Veb(fl)<0
D.BVcex>BVcer
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A.Icbo<Iceo
B.BVceo<BVcer<BVces
C.浮动电压Veb(fl)<0
D.BVcex>BVcer
A.集电结反向电压增大,基区有效宽度减小
B.发射极电流是基极电流和集电极电流的总和
C.基区穿通会使晶体管的击穿电压增加
D.温度增加,会使晶体管的反向电流增大
A.稳压管工作在反向特性区
B.常温下本征半导体几乎完全不导电
C.锗二极管的开启电压比硅二极管低
D.二极管方程不仅适用于描述二极管的正向特性,也适用于描述其反向特性
证明在正向有源模式下,晶体管发射极电流电压特性可表示为
式中,IE0为集电极开路时发射结反向饱和电流.
NPNPNP三极管作放大器时,其发射结()。
A.均反向电压
B.均正向电压
C.仅NPN管反向电压
D.仅PNP管反向电压
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