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提问人：网友anonymity
发布时间：2022-01-06
[主观题]
证明在正向有源模式下，晶体管发射极电流电压特性可表示为 式中，IE0为集电极开路时发射结反向饱和电流．
证明在正向有源模式下，晶体管发射极电流电压特性可表示为
式中，IE0为集电极开路时发射结反向饱和电流．
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NPN双极结型晶体管发射区杂质分布为NdE(x)．晶体管处于正向有源模式．
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第2题
3DU型硅光电三极管的工作原理：工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即集电极反向偏置、发射极正向偏置。光激发产生的电子-空穴对在反向偏置的PN结内建电场的作用下，电子流向集电区被集电极收集，空穴流向基区与正向偏置的发射结发射的电子流复合，形成基极电流Ip，基极电流将被集电结放大β倍。
第4题
3DU型硅光电三极管的工作原理，工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，下列说法正确的是：
A.集电极反向偏置、发射极正向偏置
B.集电极反向偏置、发射极反向偏置
C.集电极正向偏置、发射极正向偏置
D.集电极不加偏置、发射极正向偏置
第9题
图15－47所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电
图15-47所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，
