用直拉法生长单晶硅时，在放肩生长前为了消除位错，必需采用①_______________工艺。

A.放肩

B.等径生长

C.收尾拉光

D.转肩

A.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

B.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

C.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

D.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

A.3

B.5

C.4

D.2

膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。

A. 种晶—放肩—等径—引晶

B. B.引晶—放肩—等径—种晶

C. C.种晶—引晶—放肩—等径

D. D.引晶—种晶—放肩—等径

A. 直拉法

B. B.铸锭法

C. C.西门子法

D. D.三氯氢硅还原法

A.加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长

B.加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长

C.加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长

D.加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长