对于直拉法生长单晶硅时，采用缩颈工艺的目的是 。

A、放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长

B、等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长

C、缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长

D、缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长

A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅

B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

A.3

B.5

C.4

D.2

A. 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长

B. B.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长

C. C.加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长

D. D.加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

A.放肩

B.等径生长

C.收尾拉光

D.转肩

A.悬浮区熔法

B.氧化法

C.还原法

D.直拉法

A. 直拉法

B. B.铸锭法

C. C.西门子法

D. D.三氯氢硅还原法