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提问人：网友yww2019 发布时间：2022-01-06

[单选题]

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低

B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D.集电区面积大于发射区面积

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更多“关于BJT的结构特点说法错误的是（)。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺”相关的问题

第1题

以下关于BJT放大电路三种组态的特点说法错误的是（)。

A.共射极放大电路的电压和电流增益都大于1

B.共射极放大电路常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合

C.共集电极放大电路只有电流放大作用，没有电压放大

D.共基极放电电路只有电压放大作用，没有电流放大

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第2题

关于IGBT说法错误的是（）

A.IGBT相对于MOSFET开关频率较低

B.IGBT相对于MOSFET耐压值较小

C.IGBT相对于MOSFET更可工作在大功率环境下

D.IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式半导体器件

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第3题

关于电子政务信息基础设施的特点，说法错误的是（）。

A.规模臃肿

B.结构合理

C.确保速度

D.适应未来发展

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第4题

关于ARM Cortex-M处理器的特点，以下说法错误的是（）

A.功能强

B.耗电少

C.RISC结构

D.多周期操作

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第5题

关于BJT单级放大器三种组态，下面说法错误的是（）

A.共发射极放大电路既有电压放大作用又有电流放大作用。

B.共集电极放大电路只有电流放大作用，没有电压放大作用；

C.共基极放大电路只有电压放大作用，没有电流放大作用；

D.三种组态中，共集电极输入电阻最低。

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第6题

关于ARM Cortex-M处理器的特点，以下说法错误的是（）。

A.功能强

B. 耗电少

C. RISC结构

D. 多周期操作

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第7题

关于悬索桥的特点，说法错误的是()。

A.变形和振动较小

B.构造简单

C.结构自重较轻

D.刚度差

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第8题

关于经载体易化扩散的特点，下列哪个说法是错误的有（）

A.饱和现象

B.结构特异性

C.竞争性抑制

D.门控特性

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第9题

下列关于录音笔的特点，说法错误的是（）。

A.重量轻、体积小

B. 机械结构，使用寿命长

C. 连续录音时间长

D. 与计算机连接方便

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