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提问人：网友lixin080108
发布时间：2022-01-07
[单选题]
理想半导体二极的阴极电位高于阳极电位时,半导二极管应（）
A.导通
B.截止
C.放大
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第2题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第4题
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()
A、金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
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B、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
C、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
D、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
和
。如图所示，两平面之间的Ａ、Ｂ两点的电势分别为
、
，则 
和
的高低。
