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提问人:网友Dume2021 发布时间:2022-01-07
[多选题]

理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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匿名网友[2.***.***.220]选择了 D
1天前
匿名网友[236.***.***.109]选择了 BCE
1天前
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1天前
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1天前
匿名网友[26.***.***.146]选择了 D
1天前
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1天前
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1天前
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更多“理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()”相关的问题
第1题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()
A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

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第2题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()
A、本征状态

B、平坦能带状态

C、多子积累状态

D、深耗尽状态

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第3题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?()
A、多子积累

B、少子积累

C、多子耗尽

D、少子反型

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第4题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?()
A、少子反型

B、多子积累

C、多子耗尽

D、本征状态

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第5题
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()
A、金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触

B、金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触

C、金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触

D、金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触

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第6题
对于实际的MIS结构,哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线,使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移?()
A、金属和半导体之间存在功函数差

B、绝缘层中存在电荷

C、半导体与绝缘层的界面处存在表面态

D、外加偏压

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第7题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第8题
理想导体表面的垂直入射波在入射介质中的合成波是( )。

A、行波。

B、驻波。

C、行驻波。

D、0。

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