理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()
A.多子积累
B.多子耗尽
C.平坦能带
D.本征状态
E.少子反型
F.少子积累G、少子耗尽
- · 有4位网友选择 D,占比50%
- · 有1位网友选择 BE,占比12.5%
- · 有1位网友选择 CD,占比12.5%
- · 有1位网友选择 ACE,占比12.5%
- · 有1位网友选择 BCE,占比12.5%
A.多子积累
B.多子耗尽
C.平坦能带
D.本征状态
E.少子反型
F.少子积累G、少子耗尽
B、金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
C、金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触
D、金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触
B、绝缘层中存在电荷
C、半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D、外加偏压
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
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