A.间接带隙,1.0 eV左右
B.直接带隙, 1.0 eV左右
C.间接带隙, 1.45-1.50 eV
D.直接带隙, 1.45-1.50 eV
A.间接带隙,1.0 eV左右
B.直接带隙, 1.0 eV左右
C.间接带隙, 1.45-1.50 eV
D.直接带隙, 1.45-1.50 eV
A.室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
B.室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体
C.室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
D.室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
A.光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合,无菲涅尔反射
B.光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性
C.光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散
D.光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性
A.光子带隙光子晶体光纤的传导光的原理与普通光纤不同
B.在光子带隙光子晶体中传导光的波长带宽比普通的光纤窄
C.光子带隙光子晶体可等效为阶跃折射率分布光纤
D.不同波长的光将在光子带隙光子晶体光纤不同的区域传输
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