题目内容
（请给出正确答案）
A.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，就是半导体发光
B.处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合，才可能实现发光
C.在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射声子，就是半导体发光
D.在非辐射复合过程中，电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子，就是半导体发光
参考答案
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B、辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C、作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D、辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
B、声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C、半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D、通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E、半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
B、价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C、费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D、导带中的电子服从费米分布函数
E、价带中的空穴服从费米分布函数
F、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
A. 加正向电压时外电场与势垒电场方向一致
B. 加正向电压时外电场与势垒电场方向一致
C. 加反向电压时耗尽层变薄
D. 加反向电压时耗尽层变厚
A、纯净的半导体称为本征半导体
B、电子与空穴成对出现，且数量和温度无关
C、有电子和空穴两种载流子
D、在一定条件下，产生的电子-空穴和复合的电子-空穴对数量相等，达到动态平衡
B、p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
C、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
D、n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E、p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F、费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
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