题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友lixin080108
发布时间:2022-01-07
[判断题]
截止区对应的是沟道夹断前,饱和区对应的是沟道夹断后,可变电阻区对应的是没有沟道()
参考答案
简答题官方参考答案
(由简答题聘请的专业题库老师提供的解答)
查看官方参考答案
网友提供的答案
共位网友提供了参考答案,
查看全部
- · 有7位网友选择 对,占比77.78%
- · 有2位网友选择 错,占比22.22%
A.沟道夹断前,iD与vDS呈近似线性关系
B.沟道夹断前,iD主要受vGS影响
C.沟道夹断后,vDS增大,夹断长度增加
D.沟道夹断后,iD趋于饱和
A.此时满足条件VDS>VGS-VTH
B.沟道夹断点从源端向漏端移动
C.沟道夹断点电压为VGS-VTH
D.沟道夹断区为耗尽区
A.vGS=0,vDS=0时,沟道不存在,漏极电流iD=0
B.vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD=0
C.vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流饱和
D.vGS=0,vDS>∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD继续增大
A.工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源
B.工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源
C.当MOS器件的沟道被夹断时,MOS器件截止
D.当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件的沟道被夹断
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!