下列关于MOS器件I/V特性的说法,不正确的是()
A.工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源
B.工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源
C.当MOS器件的沟道被夹断时,MOS器件截止
D.当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件的沟道被夹断
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A.工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源
B.工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源
C.当MOS器件的沟道被夹断时,MOS器件截止
D.当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件的沟道被夹断
A.当VGS > VTH,并且0 < VDS < VGS-VTH时,NMOS器件工作在线性区
B.当VGS < VTH时,NMOS器件工作在截止区
C.当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件工作在饱和区
D.当当VGS < VTH时,且0 < VDS < VGS-VTH时,NMOS器件工作在深线性区
A.当时,NMOS器件工作在截止区
B.当,并且NMOS器件工作在线性区
C.当,时,NMOS器件工作在饱和区
D.当时,且时,NMOS器件工作在深线性区
A.MOS器件具有高输入阻抗
B.MOS提供载流子的端口为漏,接受载流子的端口为源
C.NMOS器件的衬底接地,PMOS器件衬底接VDD
D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏(或零偏)
A、NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
B、在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C、当时,NMOS器件导通
D、若,则 NMOS器件关断
A.所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接,起到小信号电阻的作用
B.将MOS管作二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区
C.二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关,与偏置电流无关,即输入与输出呈线性
D.二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比,增益AV越大,最大输出电压Voutmax越小
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