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提问人：网友Chenshan2019 发布时间：2022-01-07
[单选题]

非晶硅的禁带宽度为（)。

A.2.12eV

B.1.12eV

C.1.6eV

D.1.5eV，并且在一定程度上可调

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匿名网友[126.***.***.248]选择了 B
1天前
匿名网友[245.***.***.227]选择了 D
1天前
匿名网友[195.***.***.137]选择了 B
1天前
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1天前
匿名网友[37.***.***.87]选择了 D
1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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第1题
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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第2题
非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，这样制成的非晶硅太阳电池的()相对较高。

A.转换效率

B.短路电流

C.填充因子

D.开路电压

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第3题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中电子浓度为（）

A.

B.

C.

D.

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第4题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12eV，计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为（）

A.

B.

C.

D.

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第5题
微晶硅与非晶硅两种薄膜材料的区别主要表现在（）

A.微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性；

B.微晶硅在可见光波段的吸收系数比非晶硅的低；

C.微晶硅光学带隙比非晶硅的光学带隙低得多。

D.以上都对

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第6题
室温下，硅的禁带宽度分别是 。
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第7题
多结硅基薄膜太阳能电池中最简单，并且目前大规模生产中被广泛采用的是（）双结电池。

A.非晶硅/非晶硅双结

B.非晶硅/微晶硅双结

C.微晶硅/非晶硅双结

D.微晶硅/微晶硅双结

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第8题
以下关于半导体能带特征描述正确的是（）

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

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第9题
硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能

硅晶体的禁带宽度为1.2eV。适量掺入磷后，施主能级和硅的导带底的能级差为△ED=0.045eV。试计算此掺杂半导体能吸收的光子的最大波长。

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第10题
锗的禁带宽度比硅大，所制作的器件比硅耐高温。
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