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提问人:网友wei9773
发布时间:2022-01-07
[单选题]
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中
A.其阈值电压应该是正的
B.其费米势应该是负的
C.强反时,其空间电荷区中的电荷应该是负的
D.积累状态时所加的栅电压应该是负的
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A.其阈值电压应该是正的
B.其费米势应该是负的
C.强反时,其空间电荷区中的电荷应该是负的
D.积累状态时所加的栅电压应该是负的
A、该结构衬底为P型硅,是增强型MOS结构
B、该结构衬底为N型硅,是增强型MOS结构
C、该结构衬底为N型硅,是耗尽型MOS结构
D、该结构衬底为P型硅,是耗尽型MOS结构
A、(1)是欧姆接触,(2)是整流接触
B、(1)是欧姆接触,(2)是欧姆接触
C、(1)是整流接触,(2)是整流接触
D、(1)是整流接触,(2)是欧姆接触
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