题目内容
（请给出正确答案）
提问人：网友曾深鑫
发布时间：2022-01-07
[单选题]
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是（)。
A.氧化层正电荷控制不当
B.衬底材料掺杂浓度选择不妥
C.源漏材料掺杂浓度选择不妥
D.以上都是形成的原因
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- · 有5位网友选择 C，占比62.5%
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。当氧化层厚度为
时，阈值电压为
，则当氧化层厚度为
时的阈值电压为()
。
图示特性是N沟耗尽型MOS管
该图表示的是N沟耗尽型MOS管
