题目内容
（请给出正确答案）
A.大，横向扩散
B.小，横向扩散
C.大，场助扩散
D.大，氧化增强
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更多“扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。”相关的问题
A. 硬件方面，逻辑元件采用大规模和超大规模集成电路（LSI和VLSI）
B. 软件方面出现了数据库管理系统、网络管理系统和面向对象语言等
C. 相比较以前的计算机主要是体积缩小价格降低，速度上没有什么提高跟以前差不多
D. 应用领域从科学计算、事务管理、过程控制逐步走向家庭
A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
A、不可以
B、可以，实际注硼：QB+QSb
C、可以，实际注硼：QB-QSb
D、可以，实际注硼：QB
基于LSS理论，判断对下图分析的对错：
A、该入射离子是低能注入；
B、该入射离子是高能注入；
C、入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；
D、入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；
E、入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；
F、入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。
A、注入离子越轻，临界剂量越小；
B、靶温升高，临界剂量上升；
C、注入离子能量越高，临界剂量越低；
D、注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
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