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提问人：网友18***192 发布时间：2022-01-06

[单选题]

集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A

A.1V

B.7V

C.10V

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第1题

发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（)工作电压。重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCE

发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的()工作电压。重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。

A、最大

B、最小

C、任意

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第2题

定义BJT集电极开路时发射极-基极的击穿电压为[图]，发...

定义BJT集电极开路时发射极-基极的击穿电压为，发射极开路时集电极-基极的击穿电压为。两者的大小关系为（）。

A、

B、

C、

D、与晶体管材料有关

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第3题

定义双极型集电极开路时发射极-基极的击穿电压为[图]。...

定义双极型集电极开路时发射极-基极的击穿电压为。定义发射极开路时集电极-基极的击穿电压为。两者大小关系为（）。

A、

B、

C、

D、无法确定

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第4题

证明在正向有源模式下，晶体管发射极电流电压特性可表示为式中，IE0为集电极开路时发射结反向饱和电流．

证明在正向有源模式下，晶体管发射极电流电压特性可表示为

式中，I_E0为集电极开路时发射结反向饱和电流．

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第5题

（)的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。

A.发射极开路时，使

B.发射极开路时，使

C.集电极极开路时，使

D.基极开路时，使

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第6题

发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（)的，所以VCBO通

A.A.重掺杂

B.B.不掺杂

C.C.轻掺杂

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第7题

（)的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO。

A.发射极开路时，使

B.发射极开路时，使

C.集电极极开路时，使

D.基极开路时，使

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第8题

三极管的击穿电流ICEO是（)。

A.基极开路时的集电极电流

B.发射极开路时的集电极电流

C.基极短路时的集电极电流

D.发射极短路时的集电极电流

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第9题

当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大，雪崩击穿，被称为（）。

A.一次击穿

B.二次击穿

C.三次击穿

D.普通击穿

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第10题

三极管的集电极发射极击穿电压是指什么条件下允许施加在集电极与发射极之间的最大电压

A.三极管基极开路

B.三极管基极对地短路

C.三极管基极对电源短路

D.三极管基极对集电极短路

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