题目内容
（请给出正确答案）
提问人：网友cherrylin
发布时间：2022-01-07
[主观题]
在ESD防护中，要求静电电压绝对值应小于1000V。
A．错误
B．正确
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
查看官方参考答案
网友您好，请在下方输入框内输入要搜索的题目：
搜题
题目内容
（请给出正确答案）
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
更多“在ESD防护中，要求静电电压绝对值应小于1000V。”相关的问题
第4题
ESD防护的相对湿度控制范围一般是__,当湿度小于__时应禁止作业或采取增湿措施以确保降低静电的影响（）
A.15%-50%，15%
B.65%-90%，40%
C.40%-60%，40%
D.20%-60%，15%
第8题
输入单元的ESD保护电路有两种，一种是单二极管、电阻结构的ESD保护电路，另一种是双二极管、电阻结构的ESD保护电路。如下图所示，请问，1）第一种电路能够防护正的高电压静电吗？能防护负的高电压静电吗？给出理由。2）这两种电路相比，各自有什么特点？（3分） 
输入单元的ESD保护电路有两种，一种是单二极管、电阻结构的ESD保护电路，另一种是双二极管、电阻结构的ESD保护电路。如下图所示，请问，1）第一种电路能够防护正的高电压静电吗？能防护负的高电压静电吗？给出理由。2）这两种电路相比，各自有什么特点？（3分）
点击查看答案
第10题
下面关于ESD防护说法不正确的是：（）
A.让静电通过一个低阻抗并联通道进行放电，同时将ESD电压钳制在一个足够低的电平，避免硅/金属互连线烧毁或者栅氧化层击穿
B.ESD引起芯片失效是由于瞬态高电流所产生的局部高热量引起硅半导体材料或者金属互连线烧毁和ESD放电过程产生的高电压使得芯片上的栅氧化层击穿。
C.输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构，还可利用PN结的击穿特性
D.反向偏置的二极管可以作为ESD防护器件，正向偏置的二极管不行
