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提问人:网友weilai2011
发布时间:2022-01-06
[主观题]
绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。A.低于B.等于C.稍高于D.明显高于
绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于
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绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于
A、驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C、通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D、高耐压的同时也具有很小的通态压降
E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F、关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
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