关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
- · 有3位网友选择 D,占比33.33%
- · 有1位网友选择 C,占比11.11%
- · 有1位网友选择 ABD,占比11.11%
- · 有1位网友选择 BD,占比11.11%
- · 有1位网友选择 BC,占比11.11%
- · 有1位网友选择 AC,占比11.11%
- · 有1位网友选择 ABC,占比11.11%